更新时间:2024-11-07
双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 型号:KDB-3 双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。
双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 型号:KDB-3
KDB-3双组合测试仪是根据国际标准SEMI MF1529设计,双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中,在测试样品的每个测量位置上,以两种不同的方式(配置)将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单组合四探针相比,用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量,从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。
双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 仪器特点如下:
1、配有双数字表:一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的精度)适时监测全过程中的电流变化,使操作更简便,测量更精确。
数字电压表量程:0—199.99mV 灵敏度:10μV 输入阻抗:1000ΜΩ
基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)
2、可测电阻率范围:10—4 —1.9×104Ω·cm。
可测方块电阻范围:10—3 —1.9×105Ω/□。
3、设有电压表自动复零功能,当四探针头1、4探针间未有测量电流流过时,电压表指零,只有1、4探针接触到硅片,测量电流渡过单晶时,电压表才指示2、3探针间的电压(即电阻率)值;同样,当四探针头1、3探针间未有测量电流流过时,电压表指零,只有1、3探针接触到硅片,测量电流渡过单晶时,电压表才指示2、4探针间的电压(即电阻率)值,避免空间杂散电波对测量的干扰。
4、流经硅片的测量电流由高度稳定(万分之五精度)的特制恒流源提供,不受气候条件的影响,整机测量精度<3%。
电流量程分五档:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、仪器采用触点电阻更低(<5mΩ)、使用寿命更长的转换开头及继电器(>10万次),在缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数,提高了测试仪的可靠性和使用寿命。
6、可选配软件进行数据采集,可进行双组合或单组合测量,实现自动切换电压档位、读取相应电压值,根据不同方法计算电阻率或方块电阻值;软件可对测量数据进行分析,如平均值,大值、小值、大百分变化率、平均百分变化率、径向不均匀度等内容。
7、可配KDDJ-3电动测试架,自动上下运行,使测量更方便快捷。
产品名称:热变形、维卡软化点温度测定仪/维卡仪 产品型号:TC-XWB-300 B |
热变形、维卡软化点温度测定仪/维卡仪 型号: TC-XWB-300 B
TC-XWB-300 B热变形、维卡软化点温度测定仪,是为适应塑料工业的高速发展和提高材料的研究和测试水平,采用新的国际和国家标准:ISO75-1:1993《塑料-负荷变形温度的测定》,ISO306:1994《塑料-热塑性塑料维卡软化点温度的测定》,GB/T1633-2000《热塑性塑料维卡软化点温度的测定》,GB/T1634-2001《塑料-负荷变形温度的测定》设计而成的,广泛用于塑料化工企业及科研机构。本系统由单片微机控制,使产品的性能更稳定,操作简单,自动化程度高,是国内目前用于非金属材料的变形和软化温度的良好的检测仪器。
一、 规格与性能:(本产品用“位移传感器”测量变形量代替老式“百分表” 测量变形量)
1、 温度范围:室温-300℃
2、 升温速率:120±10℃/h(12℃±1℃/6min )
50± 5℃/h(5℃±0.5℃/6min)
3、 温度误差:±0.5℃ 变形误差:±0.01mm
4、 温度小分辩率:0.1℃ 变形小分辨率0.01mm
5、 负荷范围:0.734N —49.03N 负荷误差:±2.5%
6、 试验架跨距: 60—120mm连续可调(适于热变形试验)
7、 加热功率:4KW
8、 电源电压:AC220V/50Hz 20A
9、 加热介质:甲基硅油或变压器油(介质的闪点温度应高于高试验温度)。
10、 冷却方式:150℃以上风冷,150℃以下水冷或自然冷却。
11、 300B机型:落地式,式样架可自动升降。